物理性質：具有銀灰色金屬光澤，條狀，梯形截面，性脆，易斷裂，硬度 5.0 左右，微導電，屬于典型的半導體。其密度為 5.35g/mL，熔點為 937℃，沸點為 2830℃，不溶于鹽酸、硝酸和常堿，但溶于 HF、王水和熱的 NaOH 溶液中。
后處理
冷卻與脫模：區熔結束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內應力開裂，冷卻后取出鍺錠。
切頭切尾：切除含高濃度雜質的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。
檢測分級：通過電阻率測試、ICP-MS 分析雜質含量，按純度分級（如 6N、7N、8N），合格產品包裝入庫，不合格品返回原料重熔。
退火處理（可選）：對高純鍺錠進行 400~500℃真空退火，消除內應力，提升晶體完整性，滿足半導體單晶制備需求。
移動速度過快的影響
雜質偏析不徹底，純度不達標：快速移動時，熔區向前推進速度超過雜質在液相中的擴散速度，雜質無法及時隨熔區向尾料遷移，會被 “截留” 在結晶的固相鍺中，導致鍺錠主體純度下降，無法達到 6N 及以上的目標純度要求。
晶體生長不穩定，易形成柱狀晶或枝晶：過快的移動速度會使固 - 液界面變得陡峭，晶體生長方向紊亂，容易形成柱狀晶或枝晶結構，破壞晶體的完整性，后續加工時鍺錠易脆斷。
熔區形態不穩定：速度過快可能導致熔區拉長、變形，甚至出現 “斷熔” 現象，造成局部未熔或過熔，影響整根鍺錠的提純均勻性。
鍺錠的關鍵質量指標?
純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。?
晶體結構：區熔鍺錠需為定向結晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。?
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據應用定制。
