市場價格：鍺錠的市場價格長期維持在較高水平，不同純度等級的鍺錠價格差異顯著，高純鍺錠的回收價格處于每公斤上萬元區間。
后處理
冷卻與脫模：區熔結束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內應力開裂，冷卻后取出鍺錠。
切頭切尾：切除含高濃度雜質的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。
檢測分級：通過電阻率測試、ICP-MS 分析雜質含量，按純度分級（如 6N、7N、8N），合格產品包裝入庫，不合格品返回原料重熔。
退火處理（可選）：對高純鍺錠進行 400~500℃真空退火，消除內應力，提升晶體完整性，滿足半導體單晶制備需求。
鍺錠的關鍵質量指標?
純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。?
晶體結構：區熔鍺錠需為定向結晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。?
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據應用定制。
半導體與電子領域：6N 以上區熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，進一步加工為鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測器、紅外傳感器等，廣泛應用于航天、軍工、5G 通信等高端場景。?
紅外光學領域：高純度鍺錠經切片、拋光后，制成紅外光學鏡片、窗口材料，具有優異的紅外透過率（2~14μm 波段透過率≥40%），用于紅外熱像儀、導彈制導系統、衛星遙感設備。?
光纖通信領域：鍺錠加工為鍺粉或 GeCl?，作為光纖芯層的摻雜劑，可提升光纖的折射率和傳輸性能，是通信光纖的關鍵原料之一。?
其他應用：低純度鍺錠用于生產鍺合金（如鍺銅、鍺鋁合金），提升材料的強度和耐腐蝕性；高純鍺錠還用于核輻射探測器、半導體摻雜靶材等特種場景。
