定義與分類：鍺錠是一種以鍺為主要成分的金屬錠。常見的有區熔鍺錠，是指用區熔方法提純得到的鍺錠，合格產品純度在 99.9999% 以上。
移動速度過快的影響
雜質偏析不徹底，純度不達標：快速移動時，熔區向前推進速度超過雜質在液相中的擴散速度，雜質無法及時隨熔區向尾料遷移，會被 “截留” 在結晶的固相鍺中，導致鍺錠主體純度下降，無法達到 6N 及以上的目標純度要求。
晶體生長不穩定，易形成柱狀晶或枝晶：過快的移動速度會使固 - 液界面變得陡峭，晶體生長方向紊亂，容易形成柱狀晶或枝晶結構，破壞晶體的完整性，后續加工時鍺錠易脆斷。
熔區形態不穩定：速度過快可能導致熔區拉長、變形，甚至出現 “斷熔” 現象，造成局部未熔或過熔，影響整根鍺錠的提純均勻性。
半導體與電子領域：6N 以上區熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，進一步加工為鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測器、紅外傳感器等，廣泛應用于航天、軍工、5G 通信等高端場景。?
紅外光學領域：高純度鍺錠經切片、拋光后，制成紅外光學鏡片、窗口材料，具有優異的紅外透過率（2~14μm 波段透過率≥40%），用于紅外熱像儀、導彈制導系統、衛星遙感設備。?
光纖通信領域：鍺錠加工為鍺粉或 GeCl?，作為光纖芯層的摻雜劑，可提升光纖的折射率和傳輸性能，是通信光纖的關鍵原料之一。?
其他應用：低純度鍺錠用于生產鍺合金（如鍺銅、鍺鋁合金），提升材料的強度和耐腐蝕性；高純鍺錠還用于核輻射探測器、半導體摻雜靶材等特種場景。
行業現狀與發展趨勢?
資源與產能：鍺為稀缺分散元素，全球探明儲量約 8600 噸，中國儲量占比 41%，是全球的鍺生產國（2023 年產能約 105 噸，占全球 70%），主要產區集中在云南、貴州、四川等地。?
市場需求：隨著紅外探測、5G 通信、半導體芯片等行業的發展，高純度區熔鍺錠需求持續增長，尤其是 8N 級以上超高純鍺錠，市場缺口逐漸擴大。?
技術趨勢：未來將聚焦于 “提升純度 + 降低成本”，如開發多場耦合區熔技術（電磁 + 溫度梯度）、優化熔區參數控制算法，實現 9N 級鍺錠的規模化生產；同時，鍺資源的回收利用（如從廢舊光纖、半導體器件中回收鍺）將成為重要發展方向，緩解資源短缺壓力。
