原料預處理
原料選擇：選用純度約 5N（99.999%）的粗鍺錠或還原鍺粉，通常來自 GeCl?水解、GeO?氫還原等工藝產出的初級金屬鍺。
表面凈化：用混合酸（如 HF+HNO?）腐蝕去除表面氧化層與油污，再經去離子水清洗、真空烘干，防止雜質帶入后續工序。
破碎與成型：將凈化后的鍺料破碎成均勻顆粒，壓制成與石英舟適配的條狀或塊狀，減少區熔時的縮孔與偏析。
適宜的移動速度范圍
區熔鍺錠的熔區移動速度通常控制在 15~120mm/h，具體需根據鍺料初始純度、目標純度、熔區寬度調整：
初始純度低（如 5N 粗鍺）或目標純度高（如 7N、8N）時，選擇偏慢的速度（15~40mm/h），保證雜質充分偏析；
初始純度較高或追求生產效率時，可適當提高速度（60~120mm/h）。
鍺錠的關鍵質量指標?
純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。?
晶體結構：區熔鍺錠需為定向結晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。?
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據應用定制。
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