定義與分類：鍺錠是一種以鍺為主要成分的金屬錠。常見的有區熔鍺錠，是指用區熔方法提純得到的鍺錠，合格產品純度在 99.9999% 以上。
后處理
冷卻與脫模：區熔結束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內應力開裂，冷卻后取出鍺錠。
切頭切尾：切除含高濃度雜質的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。
檢測分級：通過電阻率測試、ICP-MS 分析雜質含量，按純度分級（如 6N、7N、8N），合格產品包裝入庫，不合格品返回原料重熔。
退火處理（可選）：對高純鍺錠進行 400~500℃真空退火，消除內應力，提升晶體完整性，滿足半導體單晶制備需求。
鍺錠的關鍵質量指標?
純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。?
晶體結構：區熔鍺錠需為定向結晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。?
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據應用定制。
行業現狀與發展趨勢?
資源與產能：鍺為稀缺分散元素，全球探明儲量約 8600 噸，中國儲量占比 41%，是全球的鍺生產國（2023 年產能約 105 噸，占全球 70%），主要產區集中在云南、貴州、四川等地。?
市場需求：隨著紅外探測、5G 通信、半導體芯片等行業的發展，高純度區熔鍺錠需求持續增長，尤其是 8N 級以上超高純鍺錠，市場缺口逐漸擴大。?
技術趨勢：未來將聚焦于 “提升純度 + 降低成本”，如開發多場耦合區熔技術（電磁 + 溫度梯度）、優化熔區參數控制算法，實現 9N 級鍺錠的規模化生產；同時，鍺資源的回收利用（如從廢舊光纖、半導體器件中回收鍺）將成為重要發展方向，緩解資源短缺壓力。
